在工业电子设备中，过压保护是确保设备可靠运行的重要环节。本文将探讨如何使用开关浪涌抑制器替代传统的线性浪涌抑制器，以应对长时间的过压情况。与传统线性浪涌抑制器不同，开关浪涌抑制器能够在持续浪涌的情况下保持负载正常运行，而传统线性浪涌抑制器则需要在电源路径中的
MOSFET 散热超过其处理能力时切断电流。可靠的工业电子设备通常配备保护电路，以防止电源线路出现过压，从而保护电子设备免受损坏。过压现象可能在电源线路负载快速变化时发生，线路中的寄生电感可能导致高电压尖峰。这个问题可通过输入保护电路来解决，比如图
关键字：
过压保护 开关浪涌 MOSFET
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创新产品的终端设备将广泛应用于电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心及不间断电源（UPS）等多个领域。瑞萨开发的全新MOSFET晶圆制造工艺（REXFET-1）使新产品的导通电阻（MOSFET导通时漏极与源极之间的电阻）
关键字：
瑞萨 MOSFET
功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。功率MOSFET的反向导通等效电路（1）（1）：等效电路（门极不加控制）（2）：说明：即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向导通等效电路（2）（1）：等效电路（门极加
关键字：
功率器件 MOSFET 电路
如今，数据中心迫切需要能够高效转换电能的功率半导体，以降低成本并减少排放。更高的电源转换效率意味着发热量减少，从而降低散热成本。电源系统需要更低的系统总成本和紧凑的尺寸；因此必须提高功率密度，尤其是数据中心的平均功率密度正在迅速攀升。从十年前的每个1U机架通常只有5 kW，增加到现在的20 kW、30 kW 或更高。图1：数据中心供电：从电网到GPU电源供应器(PSU)还必须满足数据中心行业的特定需求。人工智能数据中心的PSU应满足严格的Open Rack V3 (ORV3) 基本规范，要求30%到100
关键字：
安森美 MOSFET 数据中心
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E，该器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %，同时比采用TO-263-7L封装的40 V MOSFET的导通电阻低58 %。日前发布的这款器件在10 V电压下的典型导通电阻低至0
关键字：
Vishay MOSFET
意法半导体推出了标准阈值电压 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管，新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力，适用于非逻辑电平控制的应用场景。工业级晶体管STL300N4F8和车规晶体管STL305N4F8AG的额定漏极电流高于300A，最大导通电阻 RDS(on)为1mΩ，可在高功率应用中实现出色的能效。动态性能得到了改进，65nC(典型值)的总栅极电荷和低电容(Ciss, Crss)确保在高开关频率下电能损耗降至最低。MOSFET体二极管的低正向电压和快速
关键字：
意法半导体 STripFET F8 MOSFET
今天教你4个步骤选择一个合适的MOSFET。第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及
关键字：
MOSFET 选型
为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解决了这一难题，这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET 的宽安全工作区（SOA）之间的理想平衡而设计。该半导体器件通过限制高浪涌电流防止对负载造成损害，并因其低RDS(on
关键字：
英飞凌 OptiMOS MOSFET 热插拔
随着汽车产业加速朝向智慧化以及互联系统的发展，强茂推出最新车规级60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽栅槽沟技术(SGT)来支持汽车电力装置。此系列产品具备卓越的性能指标(FOM)、超低导通电阻(RDS(ON))以及最小化的电容，能有效提升汽车电子系统的性能与能源效率，降低导通与切换的损耗，提供更卓越的电气性能。强茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多种紧密且高效的封装选择，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，为
关键字：
强茂 SGT MOSFET 车用电子
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封装的全新150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）降低了1
关键字：
Vishay MOSFET
意法半导体的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压 (VIOTM)耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度 (CMTI)达到 200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正 (PFC)、
关键字：
意法半导体 电隔离栅极驱动器 IGBT SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置在芯片上
关键字：
东芝 低导通电阻 牵引逆变器 SiC MOSFET
意法半导体（简称ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，履行创新承诺。意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS和传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体承诺为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。我们将继续在器
关键字：
STPOWER SiC MOSFET
随着MOSFET栅极长度的减小，热载流子诱发的退化已成为重要的可靠性问题之一。在热载流子效应中，载流子被通道电场加速并被困在氧化物中。这些被捕获的电荷会引起测量器件参数的时间相关位移，例如阈值电压 (VTH)、跨导 (GM)以及线性 (IDLIN) 和饱和 (IDSAT) 漏极电流。随着时间的推移，可能会发生实质性的器件参数退化，从而导致器件失效。用于测量HCI的仪器必须提供以下三个关键功能：自动提取设备参数创建具有各种应力时间的应力测量序列轻松导出测量数据进行高级分析本文说明描述了如何在Kei
关键字：
202410 泰克科技 MOSFET
芝加哥，2024年9月19日--Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司荣幸地宣布推出IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器。这些栅极驱动器专为驱动MOSFET而设计，通过增加其余两个逻辑输入版本完善了现有的IX434x驱动器系列。IX434x系列现在包括双路同相、双路反相以及同相和反相输入版本，为客户提供了全面的选择。IX4341和IX4342驱动器具有16纳秒的短传播延迟时间和7纳秒的短暂
关键字：
littlefuseli MOSFET
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473