- 前言人工智能（AI）的迅猛发展推动了数据中心处理能力的显著增长。如图1所示，英飞凌预测单台GPU的功耗将呈指数级上升，预计到2030年将达到约2000W [1] ，而AI服务器机架的峰值功耗将突破惊人的300kW。这一趋势促使数据中心机架的AC和DC配电系统进行架构升级，重在减少从电网到核心设备的电力转换和配送过程中的功率损耗。图2（右）展示了开放计算项目（OCP）机架供电架构的示例。每个电源架由三相输入供电，可容纳多台PSU；每台PSU由单相输入供电。机架将直流电压（例如，50V）输
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英飞凌 AI CoolSiC CoolGaN
- 随着社会经济发展、能源结构变革，近几年全球对家用储能系统的需求量一直保持相当程度的增长。2023年，全球家用储能系统市场销售额达到了87.4亿美元，预计2029年将达到498.6亿美元，年复合增长率（CAGR）为33.68%（2023-2029）；便携储能市场经过了一轮爆发式增长的狂欢后，现在也迎来了稳定增长期，从未来看，预计在2027年便携储能市场将达到900亿元；AI
Server市场规模持续增长，带来了数字化、智能化服务器所需的高功率服务器电源的需求，现在单机3KW的Power也成为了标配。对于
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Infineon XMC1400 CoolSiC Mosfet 高功率密度 双向图腾柱 PFC 数字电源
- 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。贸泽供货的英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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贸泽 英飞凌 CoolSiC G2 MOSFET
- 随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC™ MOS
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英飞凌 CoolSiC MOSFET AI服务器电源
- 在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于Coo
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英飞凌 CoolSiC MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）
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英飞凌 CoolSiC
- 英飞凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5
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英飞凌 CoolSiC MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程
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英飞凌 碳化硅 CoolSiC MOSFET
- CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC™技术的输出电流能力强，可靠性提高。产品型号：▪️ IMYH200R012M1H▪️ IMYH200R024M1H▪️ IMYH200R050M1H▪️ IMYH200R075M1H▪️ IMYH200R0100M1H产品特点■ VDSS=2000V，可用于最高母线电压为1500VDC系统■ 开关损
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MOSFET CoolSiC Infineon
- 英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块，其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。增强型
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英飞凌 CoolSiC
- 【2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】为了实现全球气候目标，交通运输必须转用更加环保的车辆，比如节能的电气化列车。然而，列车运行有苛刻的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行。因此，它们需要采用具备高功率密度、高可靠性和高质量的节能牵引应用。 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）为了满足上述需求，在其 CoolSiC™ 功率模块产品组合中增加了两款新产品：FF2000UXTR33T2M1 和 FF2600UXTR33T2M
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英飞凌 CoolSiC 高功率模块 节能电气化列车
- 【2022年10月26日，德国慕尼黑讯】当前的能源危机充分表明，全球迫切需要寻找替代能源来构建气候友好型的能源供应能力。近日，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的CoolSiC™ MOSFET和CoolSiC二极管被总部位于加利福尼亚州的布鲁姆能源公司（Bloom Energy）选中，用于其燃料电池产品布鲁姆能源服务器（Bloom’s Energy Server）以及布鲁姆电解系统（Bloom Electrolyzer）中的功率变换。 布鲁姆能源
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英飞凌 布鲁姆能源公司 电解系统 燃料电池 CoolSiC 功率器件
- 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的CoolSiC™产品被总部位于台湾的全球领先的电源管理及散热解决方案提供商台达电子选用，使得台达电子向着利用绿色电力实现能源转型和碳中和的目标迈出了一大步。台达成功开发出了双向逆变器，即一个由太阳能发电、储能和电动汽车（EV）充电组成的三合一混合系统，它能够将电动汽车作为家庭应急备用电源。 这款双向逆变器可用于为电动汽车（EV）和家用电池充电，还能作为意外停电时的备用电源，以及高效绿色能源发电设备的核心组件。该双向逆变器搭
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英飞凌 CoolSiC 双向逆变器 备用电源
- 王 莹 （《电子产品世界》编辑）近期，多家公司发布了碳化硅 （SiC）方面的新产品。作为新兴 的第三代半导体材料之一，碳化硅 具备哪些优势，现在的发展程度 如何？不久前，碳化硅的先驱英飞凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC™ MOSFET ，值此机会，电子产品世 界访问了英飞凌电源与传感系统事 业部大中华区开关电源应用高级市 场经理陈清源先生。 碳化硅与氮化镓、硅材料的关系 碳化硅MOSFET是一种新器 件，使一些以前硅材料很难被应用 的电源转换结构，例如电流连续模 式
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202004 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET
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